Физики рассматривают мультиграфен как запоминающую среду для хранения электрических зарядов, а это вполне может стать основой для флешек обновленного поколения. По оценкам исследователей, стоить он будет около 5-ти млрд. долларов. В отличие от кремниевой флеш-карты графеновая способна работать в два-три раза быстрее. В основе флешки лежит мультиграфен.
При создании новоиспеченной флешки применяется материал мультиграфен, слой которого «зажимается» между 2-мя иными слоями: туннельного и блокирующего.
Благодаря своим особенностям мультиграфеновый слой дает возможность сделать два остальных слоя не менее тонкими, из-за чего скорость чтения флешки и растет. Кроме того, мультиграфен намного дольше удерживает заряд в сравнении с кремнием.
Как сказал ТАСС старший научный сотрудник ИФП СО РАН Владимир Гриценко, на текущий момент рынок флеш-памяти в Российской Федерации на все 100% отсутствует, она производится только за рубежом. Решение — использование в качестве запоминающей среды вещества с ловушками, например нитрида кремния. В настоящее время русские ученые продолжают работать над созданием опытных образцов супер-флешки. Наличие пор (проводящего канала) в диэлектрике угрожает утечкой заряда, другими словами утратой информации. Быстродействие таковых устройств, по предположениям ученых, сопоставимо с функциональностью оперативной памяти. В таких устройствах информация сохраняется не электрическим зарядом, а за счет изменения сопротивления материала и в отсутствие питания.